贝博官网地址dian5NAND Flash和DRAM价格恐将持续下滑

　　集邦科技记忆体储存研究（DRAMeXchange）表示，今年第一季除了受到传统淡季因素影响外，智能手机及伺服器OEM厂从去年第四季便因需求疲弱而开始调节库存，进一步使得各项产品的位元出货量表现均呈现衰退，导致整体NAND Flash的合约价跌幅来到去年第一季以来最剧烈的一季。而第一季NAND Flash品牌厂营收季减约23.8％。

　　根据集邦资料，今年第一季eMMC/UFS（嵌入式储存）、Client SSD（消费性固态硬盘）、Enterprise SSD（企业用固态硬盘）合约价分别下跌15～20％、17～31％ 、及26～32％，而在TLC规格NAND晶圆产品合约价跌幅虽有收敛，但季度跌幅仍达19～28％。展望第二季表现，尽管包含智能手机、笔记型电脑、伺服器在内的主要需求都将有所回升，但仍不足以消弭库存压力，供应商在库存压力未除前，无法遏止合约价走跌态势。

　　三星电子第一季仍能保持5％左右的位元成长，这主要来自第一季在高容量UFS销售量高于原先预期，以及在高容量Client SSD的出货比重有较佳表现。此外，三星第一季加大在NAND晶圆市场销售力道，虽然让位元出货增长，但也加深平均销售单价跌幅来到25％左右，第一季NAND Flash相关营收来到32.292亿美元，较上季衰退25.0％。

　　东芝记忆体同样受到传统淡季冲击，加上苹果在内的智能手机客户仍处库存调整周期，出货表现疲弱，纵使有模组厂帮助出货力道，其位元出货量仍较上季有所衰退，而受各类产品价格跳水影响，平均销售单价则呈现约20％的季跌幅，整体营收约达21.8亿美元，较上季下滑20.2％。

　　美光科技尽管受到传统淡季与客户盘整需求影响，财务表现相较其他供应商表现杰出，整体营收仅季衰退18.5％达到17.760亿美元，除了财报期间的差异以外，藉由先前在SATA介面Enterprise SSD的成功，美光得以推动客户逐步导入采用64层3D NAND的PCIe SSD产品，在96层产品方面则已推出Client SSD产品供予PC OEM客户，有助其降低NAND晶圆方面销售比重，第一季平均销售单价表现方面衰退近25％，位元销售仍成长8～10％。

　　受美中贸易战、英特尔中央处理器（CPU）缺货、供应链调整，及主要大厂持续消化库存等四大因素干扰，南亚科昨（30）日下修全球DRAM和公司内部今年位元成长预估，并认为本季市况不是很好，价格看跌。第3季能否止跌，「目前仍很难判断」。

　　南亚科表示，受到多重干扰的影响，全球DRAM位元年增幅由原估年增20%砍至15%，南亚科年增幅由原估15%降至仅个位数百分比。

　　南亚科董事长吴嘉昭表示，DRAM价格从去年第4季到今年第1季一路走跌，第2季价格还会再下跌，状况不是很好，希望第3季电子业旺季能好起来。

　　南亚科仍看好DRAM长期发展呈现稳健成长，主因DRAM是所有电子产品关键零组件，由人工智慧（AI）及第五代行动通讯（5G）快速发展，DRAM会是各项智慧化应用必备。

　　南亚科总经理李培瑛进一步指出，第1季DRAM报价受到传统淡季、原厂库存水位升高、英特尔处理器缺货等因素影响，合约价跌幅超乎预期，本季现货价虽然持续下跌，但南亚科的合约价跌幅并没有现货大，且市况已比第1季好转。

　　至于第3季价格能否止跌，目前仍难看清楚，主要关键在于美中贸易战变数、主要大厂消化库存，以及市场旺季备货需求强弱。

　　他分析，从供需面来看，主要大厂近期公布的财报库存水位已经明显去化，而且各厂都朝向缩减资本支出，放缓增产脚步，加上第3季适逢各应用市场旺季来临，而且英特尔的10纳米支援高阶处理器、14纳米支援中低阶处理器下半年产能可到位，伺服器需求提升，下半年DRAM的需求将会比上半好，DRAM跌幅应会收敛。

　　他预估，第3季会比第2季好，以往南亚科下半年都会比上半年好，若美中贸易协商结果趋向正面，下半年市况备货需求就会比较强，南亚科上、下半年营收差距会比往年明显。

　　市场研究机构iSuppli预测，DDR3将在2010年第二季开始成为PC内存主流标准，届时其出货量占总DRAM市场比例将首度超越DDR2，达到五成以上。 iSuppli估计，到2010年第二季，DDR3在DRAM市场的占有率以位元约当量(gigabit-equivalent)来计算，将成长至50.9%；该比例在08年与09年同期，各只有1%与14.2%。而到2010年底，该比例还会进一步成长至71%。 iSuppli资深DRAM市场分析师Mike Howard指出，DDR3的速度比DDR2快50%，耗电量也仅有DDR2的30%左右：“对广大的PC使用者来说，这意味着更佳的性能；而对笔记型电脑的使用者来说，则

　　记忆体储存研究(DRAMeXchange)指出，记忆体价格连涨六季，数家中国智慧机品牌不堪成本压力，去年中国对三星半导体表达不满，进一步造成第1季行动式记忆体涨幅收敛。 近日传出韩国政府偕同三星电子，可能与中国签署备忘录，内容将涵盖在半导体领域的相关合作。 DRAMeXchange研究协理吴雅婷指出，这可能对记忆体产业产生两种影响。首先，DRAM虽仍供货吃紧，但涨幅将受抑制。目前供应商在生产行动式记忆体获利远低于其他产品别，受到第1季智慧机需求低迷，加上中国的动作，预期未来价格涨幅将更受抑制。 其次，供应商为避免价格涨幅过高，新增产能的可能性增加。观察DRAM供给，由于目前并未有新增产能贡献位元产出，造成2018年仍属

　　近日，中国集成电路知识产权联盟秘书处纲正知识产权中心发布了《集成电路专利态势报告(2018版)》。该报告分别从集成电路总体、DRAM 领域、FPGA 领域、光刻设备领域这四个方面，分析了各个领域的专利态势。 集成电路总体专利态势 首先来看集成电路总体的专利态势，据报告显示，集成电路领域专利申请量态势逐年增长。2010年-2015年间年均增长率 5.89%，其中 2015 年增速最高，达到 9.28%。   图源：中集知联（下同） 截止到 2017 年 12 月 31 日，集成电路领域全球公开专利申请 209.7 万件，授权 144.5 万件。其中，中国申请 46.4 万件，授权 27.8 万件，紧随美国和

　　1 引言 在便携式电子产品如U盘、MP3播放器、数码相机中，常常需要大容量、高密度的存储器，而在各种存储器中，NAND FLASH以价格低、密度高、效率高等优势成为最理想的器件。但NAND FLASH的控制逻辑比较复杂，对时序要求也十分严格，而且最重要的是NAND FLASH中允许存在一定的坏块(坏块在使用过程中还可能增加)，这就给判断坏块、给坏块做标记和擦除等操作带来很大的难度，于是就要求有一个，使系统用户能够方便地使用NAND FLASH,为此提出了一种基于FPGA的NAND FLASH的设计方法，并用VHDL给予实现，Modelsim得出仿真结果，并在ALTERA公司的EP2C35F672器件中得到验证。FPG

　　2015中国集成电路促进大会近日于厦门成功举行，会后武汉新芯执行副总裁，营运长洪沨博士就公司现状和存储器发展与集微网记者做了深度交流。   首先，对于武汉新芯的制造技术是否拥有自主知识产权，洪沨博士给出了肯定的回答。武汉新芯选择与美国Spansion展开3D NAND联合技术的开发合作，双方在知识产权方面实现共享。这是因为Spansion并未处于当前NAND Flash主流市场的四家厂商之一，而且3D NAND的核心技术源自于Spansion，两家可以通过合作的方式快速发展。有记者追问为什么不选择与三星合作？洪沨博士反问，你觉得三星会跟你合作吗，三星目前在3D NAND技术上已经遥遥领先，不会帮助你成为他的竞争者的。

　　韩媒NEWSIS报导，韩国半导体业者将3D NAND视为克服不景气的对策。3D NAND是三星电子(Samsung Electronics)最早宣布进入量产的技术，在这之前业界采用的是水平结构，3D垂直堆叠技术成为克服制程瓶颈的解决方案。   3D NAND比20纳米级产品的容量密度高，读写速度快，耗电量节省一半；采用3D NAND Flash存储器的固态硬碟(SSD)其电路板面积也较小。基于上述优点，对于业界积极发展以人工智能平台的相关服务，3D NAND成为具有潜力，有利于迈入第四次工业的技术。   以资讯为主的平台服务常伴随传输大量的资料与数位内容，业者必须扩大对服务器的投资，连带引起储存存储器的需求增

　　TrendForce集邦咨询旗下半导体研究处表示，随着自驾等级的提升、5G基础建设的普及等因素影响，车用存储器未来需求将高速增长。以目前自驾程度最高的特斯拉（Tesla）为例，从Tesla Model S/X起，由于同时采用NVIDIA的车用CPU及GPU解决方案，DRAM规格导入当时频宽最高的GDDR5，全车系搭载8GB DRAM；而Model 3更进一步导入14GB，下一代车款更将直上20GB，其平均用量远胜目前的PC及智能手机，预估近三年车载DRAM用量将以CAGR超过三成的涨势继续向上。 TrendForce集邦咨询进一步补充，以目前市面上流通的车辆来计算，2021年平均一台车的DRAM使用量仅约4GB，虽然相较过去几

　　随着NAND Flash存储器作为大容量数据存储介质的普及，基于NAND闪存的文件系统YAFFS(Yet Another Flash File System)正逐渐被应用到各种嵌入式系统中。本文将详细阐述YAFFS文件系统在C51系统上的实现过程。 1 NAND Flash的特点 非易失性闪速存储器Flash具有速度快、成本低、密度大的特点，被广泛应用于嵌入式系统中。Flash存储器主要有NOR和NAND两种类型。NOR型比较适合存储程序代码;NAND型则可用作大容量数据存储。NAND闪存的存储单元为块和页。本文使用的Samsung公司的K9F5608包括2 048块，每一块又包括32页，一页大小为528字节，依次分为2个256

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